深圳市黄瓜视频狼人软件ios创元信息技术有限公司

 

 

联系我们

首页 > 产品中心 > 内存模组 > 低电压内存

内存模组

低电压内存

  • 简介

小型机壳和轻薄笔电通常意味着拥挤的零件与有限的散热空间。创见DDR3低电压SO-DIMM内存使用1.35V超低额定电压,不仅能减少热能产生,还能降低整体能源消耗,是轻薄低功耗的mini-ITX系统与薄型省电笔记型计算机的最佳选择。

- 超低工作电压 (1.35V)
- 有助延长笔电电池寿命
- 运转时温度更低,并减少机箱发热

  • 特色
 

 

  • JEDEC standard 1.35V(1.28V~1.45V) & 1.5V(1.425V~1.575V)
  • 8 bit pre-fetch
  • Burst Length: 4, 8
  • Bi-directional Differential Data-Strobe
  • Internal calibration through ZQ pin
  • On Die Termination with ODT pin
  • Serial presence detect with EEPROM
  • Asynchronous reset

 

  • 规格
 

 

  • Module Type
    DDR3 SODIMM
  • Frequency
    1333MHZ
  • Function
    non-ECC Unbuffer Memory
  • Pin Number
    204pin
  • Capacity
    2GB/4GB
  • DRAM Type
    256Mx8
  • Timing Description
    9-9-9
  • Voltage
    1.35V
  • Rank Number
    1Rank / 2Ranks
  • PCB Height
    1.18 Inches
  • Operation Temperature
    0 ~ 85 ℃

  • 产品型号
 
 
容量 | 产品型号 | 产品介绍 | Dram
  8GB   TS1GSK64W6H   DDR3L 1600 SO-DIMM 8GB 11-11-11 2Rx8 1.35V   512Mx8  
  4GB   TS512MSK64W3N   DDR3 1333 SO-DIMM 4GB 9-9-9 2Rx8 1.35V   256Mx8  
  4GB   TS512MSK64W6H   DDR3L 1600 SO-DIMM 4GB 11-11-11 1Rx8 1.35V   512Mx8  
  4GB   TS512MSK64W6N   DDR3L 1600 SO-DIMM 4GB 11-11-11 1Rx8 LV   256Mx8  
  2GB   TS256MSK64W3N   DDR3L 1333 SO-DIMM 2GB 9-9-9 1Rx8 1.35V   256Mx8  
  2GB   TS256MSK64W6N   DDR3L 1600 SO-DIMM 2GB 11-11-11 1Rx8 LV   256Mx8  

 

深圳市黄瓜视频狼人软件ios创元科技信息技术有限公司 粤ICP备09138914号
Copyright © 2010 深圳市黄瓜视频狼人软件ios创元科技信息技术有限公司. All Rights Reserved.